标准名称：半导体器件 功率器件用碳化硅同质外延片缺陷的无损检测识别判据 第3部分：缺陷的光致发光检测方法

标准编号：GB/T 43493.3-2023

资源类别：国家标准

实施日期：2024 年 7 月 1 日

附件大小：1.49 MB

GB/T 43493.3-2023标准简介：

本文件提供了商用碳化硅 ( 4H-SiC ) 同质外延片生长缺陷光致发光检测的定义和方法。主要是通过光致发光图像示例和发射光谱示例，为 SiC 同质外延片上缺陷的光致发光检测提供检测和分类的依据。